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基礎(chǔ)信息Product information

產(chǎn)品名稱：方阻儀/方塊電阻測(cè)試儀/電阻率/電導(dǎo)率儀

產(chǎn)品型號(hào)：

更新時(shí)間：2025-10-10

產(chǎn)品簡介：

方阻儀/方塊電阻測(cè)試儀/電阻率/電導(dǎo)率儀應(yīng)用領(lǐng)域
覆蓋膜、導(dǎo)電高分子膜、高低溫電熱膜；隔熱、導(dǎo)電窗膜、導(dǎo)電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙、金屬化標(biāo)簽、合金類箔膜；熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層、電阻式、電容式觸屏薄膜、電極涂料；其他半導(dǎo)體材料、薄膜材料、硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻；半導(dǎo)體材料/晶圓、太陽能電池、電子元器件、導(dǎo)電薄膜（ITO導(dǎo)電膜玻璃等）

產(chǎn)品特性Product characteristics

“精"——上海市先JIN企業(yè)!

“專"——專注工業(yè)測(cè)試十六年!

“特"——德國萊茵TUV認(rèn)證供應(yīng)商!

“新"——注冊(cè)資本實(shí)繳壹仟萬元!實(shí)繳資金行業(yè)中居前茅!抗金融風(fēng)險(xiǎn)能力強(qiáng)!

一、方阻儀/方塊電阻測(cè)試儀/電阻率/電導(dǎo)率儀應(yīng)用領(lǐng)域

覆蓋膜、導(dǎo)電高分子膜、高低溫電熱膜；隔熱、導(dǎo)電窗膜、導(dǎo)電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙、金屬化標(biāo)簽、合金類箔膜；熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層、電阻式、電容式觸屏薄膜、電極涂料；其他半導(dǎo)體材料、薄膜材料、硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻；半導(dǎo)體材料/晶圓、太陽能電池、電子元器件、導(dǎo)電薄膜（ITO導(dǎo)電膜玻璃等）、金屬膜、導(dǎo)電漆膜、蒸發(fā)鋁膜、PCB銅箔膜、EMI涂層等薄層電阻與電阻率；導(dǎo)電性油漆、導(dǎo)電性糊狀物、導(dǎo)電性塑料、導(dǎo)電性橡膠、導(dǎo)電性薄膜、金屬薄膜、EMI防護(hù)材料、導(dǎo)電性纖維、導(dǎo)電性陶瓷等方阻測(cè)試。

二、產(chǎn)品描述

采用四探針組合雙電測(cè)量方法，液晶顯示，自動(dòng)測(cè)量，自動(dòng)量程，自動(dòng)系數(shù)補(bǔ)償。高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出；PC軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)管理和處理。

雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方型四探針雙位測(cè)量。儀器設(shè)計(jì)參考國標(biāo)單晶硅物理測(cè)試方法及ASTM標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測(cè)量，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響。

三、儀器特性

1.電阻測(cè)量范圍0.1uΩ～10MΩ即10^-7～1×10⁷Ω（JR3545最大1000MΩ）

2.電阻率測(cè)量范圍0.1uΩ～10MΩ.cm即10^-7～1×10⁷Ω.cm（JR3545最大1000MΩ）

3.方塊電阻測(cè)量范圍1uΩ～1MΩ/□即10^-6～2×10⁶Ω/□（JR3545最大100MΩ）

4.電阻精度0.01%，最小分辨率0.1uΩ

5.方阻精度2%，最小分辨率1uΩ

6.雙電測(cè)原理，提?精度和穩(wěn)定性

7.測(cè)試探頭直排和矩形可選

8.標(biāo)配RS232、LAN通訊接口

9.搭配軟件可查看和記錄測(cè)試數(shù)據(jù)

四、儀器應(yīng)用

使?開爾?測(cè)試夾直接測(cè)試電阻器直流電阻

使?四探針治具測(cè)試?狀或塊狀半導(dǎo)體材料、?屬涂層以及導(dǎo)電薄膜等材料的?阻和電阻率

五、方阻儀/方塊電阻測(cè)試儀/電阻率/電導(dǎo)率儀指標(biāo)參數(shù)規(guī)格